蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料及喷雾生产法专利登记公告

专利名称：蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料及喷雾生产法

摘要：一种蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料，为稀土离子掺杂的含镁硅酸盐，其中掺杂的Eu2+和Mn2+为发光中心，发射峰的峰位分别在430和660纳米处；该荧光材料采用喷雾生产法制备，包括胶体的制备、雾化、干凝胶颗粒的高温微波灼烧。本发明的优点是：荧光体成分混合均匀，热稳定和化学稳定高，荧光体颗粒小仅为5-15微米，不需球磨并且可以通过控制雾化参数改变荧光材料颗粒的大小；该荧光粉料用蓝紫光的InGaN芯片激发可以同时发出波长为660纳米的红光和430纳米的蓝光，可用于暖白光LED和植物照明LED封装所需要的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110441182.2

专利申请（专利权）人：天津理工大学

专利发明（设计）人：王达健;王龄昌;陆启飞;曹利生;李建;宋俊;王延泽;马健;董晓菲

主权项：一种蓝紫光芯片激发的660纳米红光荧光材料，其特征在于：为稀土离子掺杂的含镁硅酸盐，其化学式为Ba1.14Sr1.7MgSi2O8:0.06Eu2+，0.1Mn2+，其中掺杂的Eu2+和Mn2+为发光中心，采用溶胶喷雾法制备，荧光体颗粒大小为5?15微米，发射峰的峰位分别在430纳米处和660纳米处。

专利地区：天津