基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法专利登记公告

专利名称：基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法

摘要：本发明公开了一种基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，所述硅衬底层具有一个贯穿至所述顶层氮化物器件层下表面的长方体空腔；所述顶层氮化物器件层具有周期性氮化物纳米结构；本发明还公开了一种基于硅衬底氮化物悬空纳米光子器件的制备方法。本发明所设计的一种基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法能够消除硅衬底光吸收，降低厚膜氮化物材料的内部光损耗，改善器件表面高折射率差异造成的发光抑制，并进一步提高发光效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110441603.1

专利申请（专利权）人：南京邮电大学

专利发明（设计）人：王永进;朱洪波

主权项：一种基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，其特征在于：所述硅衬底层具有一个贯穿至所述顶层氮化物器件层下表面的长方体空腔；所述顶层氮化物器件层具有周期性氮化物纳米结构。

专利地区：江苏