超低压CMOS图像传感器像素单元及电压输入输出方法专利登记公告

专利名称：超低压CMOS图像传感器像素单元及电压输入输出方法

摘要：本发明涉及一种超低压CMOS图像传感器像素单元及电压输入输出方法，其中像素单元包括重置晶体管(M1)、光电二极管(D1)及它们中间接点与第一输出端之间的射极互连的源NMOS跟随晶体管(M2)和PMOS管(M3)以及中间接点与第二输出端之间的射极互连的集电极接地的源PMOS跟随晶体管(M4)和NMOS管(M5)，M2集电极接偏置电压(Vdd)，M4集电极接地，M3、M5基极电连接选择信号(RS)；对应电压输入输出方法包括：施加VDD＞VIP+VIN+2Vdsat的输入偏置电压，VIP是M2的阈值电压，VIN

专利类型：发明专利

专利号：CN201110441861.X

专利申请（专利权）人：深港产学研基地

专利发明（设计）人：何进;苏艳梅;杜彩霞

主权项：一种超低压CMOS图像传感器像素单元，包括重置晶体管(M1)、光电二极管(D1)及它们中间接点与第一输出端之间的射极互连的源NMOS跟随晶体管(M2)和PMOS管(M3)，所述源NMOS跟随晶体管(M2)集电极电连接偏置电压(Vdd)，其特征在于，还包括射极互连的：源PMOS跟随晶体管(M4)，基极电连接所述中间接点，集电极电连接地；NMOS管(M5)，基极电连接选择信号(RS)，集电极电连接第二输出端；所述选择信号(RS)还电连接所述PMOS管(M3)的基极。

专利地区：广东