非冷却光半导体装置专利登记公告

专利名称：非冷却光半导体装置

摘要：本发明涉及非冷却光半导体装置。获得一种能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。半导体激光器（1）输出激光。电场吸收型光调制器（2）吸收激光的光量根据施加到电场吸收型光调制器（2）的电压而变化。在电场吸收型光调制器（2）吸收激光时产生光吸收电流。监视光电二极管（4）对半导体激光器（1）的背面光进行监视。APC（AutoPowerControl）电路（5）将监视光电二极管（4）的光接收电流对供给到半导体激光器（1）的偏置电流进行反馈。偏

专利类型：发明专利

专利号：CN201110443630.2

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：冈田规男

主权项：一种非冷却光半导体装置，其特征在于，具备：半导体激光器，输出激光；电场吸收型光调制器，吸收所述激光的光量根据施加的电压而变化；监视光电二极管，对所述半导体激光器的背面光进行监视；APC自动功率控制电路，将所述监视光电二极管的光接收电流对供给到所述半导体激光器的偏置电流进行反馈；以及偏置电路，将所述电场吸收型光调制器吸收所述激光时所产生的光吸收电流的平均值对施加到所述电场吸收型光调制器的偏置电压进行反馈。

专利地区：日本