一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法

摘要：本发明提供了一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法，(1)将ITO/glass基片为基底，清洗干净后用氮气吹干后，置于紫外光照射仪中照射20min；(2)将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别溶于乙二醇甲醚和冰醋酸中，溶解后混合形成前驱液，磁力搅拌，得到稳定的BiFeO3前驱体；(3)在基片表面用前驱体进行匀胶处理，匀胶结束后，干燥，重复匀胶处理几次得到设定薄膜厚度，最后快速升温到350℃预退火5min，然后在500℃退火30～120min。由本发明方法制备出的铁酸铋薄膜，其内部缺陷

专利类型：发明专利

专利号：CN201110444924.7

专利申请（专利权）人：陕西科技大学

专利发明（设计）人：谈国强;程蒙

主权项：一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：选用ITO/glass基片为基底，将切割好的ITO/glass基片清洗干净后，用氮气吹干；步骤2：将洁净的ITO/glass基片置于紫外光照射仪中照射20min，使基片表面达到“原子清洁度”；步骤3：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别溶于乙二醇甲醚和冰醋酸中，溶解后混合形成前驱液，调节前驱液中Bi、Fe离子浓度为0.01～1.0mol/L，磁力搅拌，得到稳定的BiFeO3前驱体；步骤4：在步骤2处理后的基片

专利地区：陕西