用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法专利登记公告

专利名称：用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法

摘要：本发明提供了用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法。本发明提供一种半导体存储器件，包括：刷新计数器，其响应于在激活模式下被使能的激活模式信号而对刷新信号计数和输出刷新地址；外部地址输入缓冲器，其响应于在外部地址刷新模式下被使能的模式选择信号而缓冲外部地址以输出内部地址；地址选择器，其响应于刷新信号和模式选择信号，在正常刷新模式下输出来自刷新计数器的刷新地址作为选择行地址，而在外部地址刷新模式下输出来自外部地址输入缓冲器的内部地址作为选择行地址；以及行地址译码器，其通过将选择行地址译码来产生用于顺序地访问字

专利类型：发明专利

专利号：CN201110446500.4

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：沈荣辅

主权项：一种半导体存储器件，包括：刷新计数器，所述刷新计数器被配置为响应于在激活模式下被使能的激活模式信号而对刷新信号计数并输出刷新地址；外部地址输入缓冲器，所述外部地址输入缓冲器被配置为响应于在外部地址刷新模式下被使能的模式选择信号而缓冲外部地址并输出内部地址；地址选择器，所述地址选择器被配置为响应于所述刷新信号和所述模式选择信号，在正常刷新模式下输出从所述刷新计数器传送来的所述刷新地址作为选择行地址，在所述外部地址刷新模式下输出从所述外部地址输入缓冲器传送来的所述内部地址作为所述选择行地址；以及行地址译码器，

专利地区：韩国