一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法专利登记公告
专利名称：一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法
摘要：本发明公开了一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，含以下工序：选取晶体硅片，进行有机硅烷吸附在晶体硅片表面形成硅烷薄膜，接着采用激光局部烧蚀并去除晶体硅片表面的硅烷薄膜，并在激光烧蚀后的区域进行金属电极沉积，最后除去非电极部位的硅烷薄膜，制备获得太阳能电池的金属电极。该方法成本低，工艺简单，易于工业推广。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110450393.2
专利申请（专利权）人：广东爱康太阳能科技有限公司
专利发明（设计）人：夏建汉;班群;康凯;陈刚
主权项：一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是含以下工序：选取晶体硅片，进行有机硅烷吸附在晶体硅片表面形成硅烷薄膜，接着采用激光局部烧蚀并去除晶体硅片表面的硅烷薄膜，并在激光烧蚀后的区域进行金属电极沉积，最后除去非电极部位的硅烷薄膜，制备获得太阳能电池的金属电极。
专利地区：广东
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