提高闪存寿命的可靠性存储方法专利登记公告

专利名称：提高闪存寿命的可靠性存储方法

摘要：本发明涉及闪存技术领域，特别涉及一种提高闪存寿命的可靠性存储方法。该方法包括步骤：S1，每次上电后，进行NVRAM临时页的检查，判断4个临时页是否有至少两页内容相同，若没有，则将临时页擦除执行步骤S4；若有则执行步骤S2；S2，判断4个临时页是否两两相同，若是则使用第一临时页将序号靠后的临时页恢复后，执行步骤S3；否则使用多数页将少数页恢复后，执行步骤S3；S3，使用临时页中内容将闪存当前记录页内容恢复；S4，正常进行闪存数据读写。本发明中，充分利用了NVRAM的写入时间快的优势，使用NVRAM临时页作为

专利类型：发明专利

专利号：CN201110452498.1

专利申请（专利权）人：北京交控科技有限公司

专利发明（设计）人：李超;楼宇伟;姜宏飞

主权项：一种提高闪存寿命的可靠性存储方法，其特征在于，所述方法包括步骤：S1，每次上电后，进行NVRAM临时页的检查，判断4个临时页的内容是否有至少两页相同，若没有，则认为数据无法恢复，将临时页擦除，执行步骤S4；若有则执行步骤S2；S2，判断4个临时页中内容是两两相同还是多数页相同，若是两两相同，则使用第一临时页中内容将序号靠后的页中内容恢复后，执行步骤S3；若是多数页相同，则使用多数页中内容将少数页中内容恢复后，执行步骤S3；S3，使用临时页中内容将闪存当前记录页内容恢复；S4，正常进行闪存数据读写。

专利地区：北京