中红外激光器专利登记公告
专利名称:中红外激光器
摘要:一种中红外激光器,其特征是利用波长为790nm的半导体激光器泵浦Tm:YLF晶体得到1.9μm激光,通过声光调Q的方式产生脉冲输出的1.9μm激光。在Tm:YLF激光器中加入两个未镀介质膜的石英标准具使输出的1.9μm激光光谱宽度变窄达到小于1nm,并使输出激光稳定在中心波长为1907.5nm处,能避开大气中水分子对该波长的吸收,将此激光器作为泵浦源,泵浦MgO:PPLN晶体,通过光学参量振荡的方式得到波长在3~5μm的中红外激光稳定的输出。本发明具有结构简单,转换效率高,调谐性好等特点。
专利类型:发明专利
专利号:CN201110452913.3
专利申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
专利发明(设计)人:徐林;周军;陈卫标
主权项:一种中红外激光器,包括半导体激光器(101),沿该半导体激光器(101)的激光输出方向依次是光束整形及耦合系统(102)、输入腔镜(103)、激光晶体(104)、声光调Q开关(105)、输出腔镜(108)、滤波片(109)、隔离器(110)、半波片(111)、聚焦透镜(112)、OPO入射腔镜(113)、非线性晶体(114)和OPO输出腔镜(115),其特征在于:所述的激光晶体(104)为Tm:YLF晶体,所述的输入腔镜(103)为平面镜且两面镀有对790nm光高透,对1907nm光高反的介质膜,所述的输
专利地区:上海
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。