一种纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池及其制备方法

摘要：本发明公开了一种CIGS纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池的制备方法。该方法包含步骤：采用气-固反应方法生长大面积硫化亚铜或硫化铜纳米线阵列，再通过物理气相沉积及热处理方法转变为CIGS纳米线阵列。半导体纳米线阵列的成分、相结构和能带结构可以通过控制沉积元素种类、沉积顺序、沉积工艺及后期处理等过程进行调节，从而制备出不同结构和性能的太阳能光伏电池。该电池能减小对光的反射，增大对光的吸收，同时还可增大载流子产生的几率，减少空穴和电子复合的几率，实现光电转换效率的大幅提高。本发明成本低，制备过程可控，制备的纳米

专利类型：发明专利

专利号：CN201110453335.5

专利申请（专利权）人：中山大学

专利发明（设计）人：任山;李立强;刘珠凤;李明;洪澜

主权项：一种铜铟镓硒纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池的制备方法，其特征在于：该方法通过在气固反应方法制备的硫化亚铜或硫化铜纳米线阵列的基础上，结合物理气相沉积方法及热处理方法制备铜铟镓硒纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池。

专利地区：广东