半导体存储器件、测试电路及其测试方法专利登记公告

专利名称：半导体存储器件、测试电路及其测试方法

摘要：本发明提供一种半导体存储器件，包括：多个存储体，每个存储体包括多个第一存储器单元和多个第二存储器单元；第一输入/输出单元，被配置为在第一存储器单元与多个第一数据焊盘之间传送第一数据；第二输入/输出单元，被配置为在第二存储器单元与多个第二数据焊盘之间传送第二数据；路径选择单元，被配置为在测试模式期间将经由第一数据焊盘输入的第一数据传送给第一存储器单元和第二存储器单元二者；测试模式控制单元，被配置为在测试模式期间将第一存储器单元的第一数据与第二存储器单元的第一数据进行比较，并基于比较结果控制第一数据焊盘以指示

专利类型：发明专利

专利号：CN201110454048.6

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：都昌镐;康卜文;丁台衡;金演佑

主权项：一种半导体存储器件，包括：多个存储体，每个存储体包括多个第一存储器单元和多个第二存储器单元；第一输入/输出单元，所述第一输入/输出单元被配置为在所述第一存储器单元与多个第一数据焊盘之间传送第一数据；第二输入/输出单元，所述第二输入/输出单元被配置为在所述第二存储器单元与多个第二数据焊盘之间传送第二数据；路径选择单元，所述路径选择单元被配置为在测试模式期间将经由所述第一数据焊盘输入的所述第一数据传送给所述第一存储器单元和所述第二存储器单元二者；以及测试模式控制单元，所述测试模式控制单元被配置为在所述测试模式

专利地区：韩国