图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器专利登记公告
专利名称：图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器
摘要：本发明提供了一种图像传感器的感光区域以及制造方法、图像传感器。所述图像传感器的感光区域包括设置在支撑衬底表面的一微镜和一光电二极管，所述光电二极管的P型掺杂区域与N型掺杂区域在支撑衬底表面横向布置，入射至图像传感器的入射光朝向所述支撑衬底的表面入射，经过所述微镜反射后形成朝向所述光电二极管侧面反射光，所述微镜的反射光是从所述光电二极管的侧面入射至光电二极管的内部，能够提高所述光电二极管的光俘获效率。本发明的优点在于，入射光能够横向入射，提高入射光吸收区域的深度，从而有效提高了图像传感器的光敏感度和量子效率
专利类型：发明专利
专利号：CN201110454520.6
专利申请（专利权）人：上海中科高等研究院
专利发明（设计）人：田犁;汪辉;陈杰;方娜
主权项：一种图像传感器的感光区域，其特征在于，包括设置在支撑衬底表面的一微镜和一光电二极管，所述光电二极管的P型掺杂区域与N型掺杂区域在支撑衬底表面横向布置，入射至图像传感器的入射光朝向所述支撑衬底的表面入射，经过所述微镜反射后形成朝向所述光电二极管侧面反射光，所述微镜的反射光是从所述光电二极管的侧面入射至光电二极管的内部，能够提高所述光电二极管的光俘获效率。
专利地区：上海
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