氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法专利登记公告
专利名称：氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法
摘要：本发明的氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法属于气体敏感材料相关的技术领域。气敏材料的结构是Cu2O和SnO2呈长条状并列，周期性交替组装形成的膜材料，生长在硅片基底上；Cu2O材料堆积较厚成隆起部分，SnO2材料堆积较薄成低谷部分。制备方法是在硅衬底上并列平放两铜箔电极，电极间滴入硝酸铜和氯化亚锡配置的电解液，盖上盖玻片，制冷凝固再加半正弦波电压，使Cu2O和SnO2周期性交替沉积。本发明的异质阵列结构气敏材料不仅具有材料本身各自的气敏特性，也因材料具有稳定有序的异质结构，使气敏元件在
专利类型：发明专利
专利号：CN201110455860.0
专利申请（专利权）人：吉林大学
专利发明（设计）人：张明喆;崔光亮
主权项：一种氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料，其特征在于，是Cu2O和SnO2呈长条状并列，周期性交替组装形成的膜材料，生长在硅片基底上；其中Cu2O材料堆积较厚成隆起部分，SnO2材料堆积较薄成低谷部分；所述的周期性，是一条Cu2O和相邻的一条SnO2构成一个周期，每个周期的宽度为0.2～1.5微米。
专利地区：吉林
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