用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法专利登记公告

专利名称：用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法

摘要：用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法，涉及微电子技术领域。本发明的刻蚀液以质量比计算，其组分为：HBF4∶HNO3∶H2O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；其中，HBF4的浓度为3.2％～9.6％，HNO3的浓度为65％～68％。本发明的有益效果是，采用本发明刻蚀的含稀土氧化物微波介质薄膜，边缘清晰，侧蚀比小。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110455998.0

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：杨传仁;张巧真;张继华;陈宏伟;赵强

主权项：用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液，其特征在于，以质量比计算，其组分为：HBF4∶HNO3∶H2O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；其中，HBF4的浓度为3.2％～9.6％，HNO3的浓度为65％～68％。

专利地区：四川