利用真空烧结工艺制备LSO非对称体系半透明陶瓷的方法专利登记公告

专利名称：利用真空烧结工艺制备LSO非对称体系半透明陶瓷的方法

摘要：本发明提供了一种利用真空烧结工艺制备硅酸镥非对称体系半透明陶瓷的方法。其特征在于LSO相的获得可以通过固相法或液相法来获得，也可以是商业的LSO粉体。采用固相法制备LSO陶瓷时，既可以先对混合后的粉体进行煅烧处理获得LSO相，然后再进行成型和真空烧结；也可以直接对混合后的氧化物进行成型，之后真空下烧结时在LSO的成相温度长时间保温使其充分的转化成LSO相，最后再升温至最终的烧结温度，真空烧结温度为1700～1820℃，保温时间5-10h。和目前制备非对称体系的常用的热压或热等静压制备相比，真空烧结技术对设

专利类型：发明专利

专利号：CN201110457162.4

专利申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所

专利发明（设计）人：寇华敏;李伟;姜本学;石云;沈毅强;李江;刘文斌;潘裕柏;冯锡琪;郭景坤

主权项：一种利用真空烧结工艺制备LSO非对称体系半透明陶瓷的方法，包括所用的粉体原料的选择、成型工艺步骤，其特征在于真空烧结温度为1700?1820℃，真空度≥10?3Pa。

专利地区：上海