一种多晶硅制备方法专利登记公告

专利名称：一种多晶硅制备方法

摘要：本发明公开了一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料三氯氢硅与高纯氢气在1050-1250℃高温、0~0.8MPa条件下发生化学气相沉积反应，并在发热的硅芯表面沉积多晶硅的步骤，其特征在于所述化学气相沉积过程中，向还原炉内通入0.1%~20%卤化氢气体。本发明能有效抑制还原炉内体相中产生硅粉，消除雾化现象，反应所产生的热量可供多晶硅沉积使用，提高能量利用效率和硅沉积速率，而且无需降低反应温度和卤代硅烷浓度，卤化氢在硅棒表面的刻蚀，有助于改善表面形貌，得到致密多晶硅棒。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110457997.X

专利申请（专利权）人：江苏中能硅业科技发展有限公司

专利发明（设计）人：江宏富;钟真武

主权项：一种多晶硅的制备方法，其包括在还原炉反应器内，原料卤代硅烷与高纯氢气在1050?1250℃高温、0~0.8MPa条件下发生化学气相沉积反应，并在发热的硅芯表面沉积多晶硅使得硅棒不断长大的步骤，其特征在于所述化学气相沉积反应过程中，向还原炉内通入0.1mol%~20mol%卤化氢气体。

专利地区：江苏