一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法专利登记公告

专利名称：一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法

摘要：一种有机薄膜晶体管电流-电压仿真模型的参数提取方法，涉及有机半导体集成电路领域器件模型的参数提取技术，提供了一种有机薄膜晶体管直流电流-电压特性模型的参数提取方法，主要包括以下步骤：1)利用有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型来准确描述其直流电流-电压特性；2)确定有机薄膜晶体管的直流电流-电压特性模型中需要提取的参数：阈值电压VT，载流子迁移率幂律参数γa，场效应迁移率的特征电压Vaa，迁移率的饱和调制参数αsat，弯曲调制参数m，沟道长度调制参数λ，泄漏电流参数SIGMAA0；3)逐个确定各个参数的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110459200.X

专利申请（专利权）人：北京交通大学

专利发明（设计）人：尹飞飞;徐征

主权项：一种有机薄膜晶体管电流?电压仿真模型的参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步利用有机薄膜晶体管的直流电流?电压特性模型来准确描述有机薄膜晶体管的电流电压特性；有机薄膜晶体管的直流电流?电压特性模型： I ds = W / L

专利地区：北京