一种荧光离子印迹传感器及其在甲基汞离子检测中的应用专利登记公告

专利名称：一种荧光离子印迹传感器及其在甲基汞离子检测中的应用

摘要：本发明提供了一种用于选择性检测甲基汞离子的离子印迹荧光传感器及其制备方法。传感器制备包括三个过程：(1)先将甲基汞离子与功能单体和荧光物质通过配位作用形成预共聚物；(2)加入交联剂，引发剂，并以微孔滤膜为支撑介质，在合适的条件下引发聚合，从而将模板分子以互补的空间结构形式固定在聚合物中；(3)采用酸、EDTA洗脱的方式，将模板分子从聚合中洗脱除去，留下特定的空穴，获得荧光甲基汞离子印迹复合膜传感器。获得的印迹复合膜对甲基汞离子表现出较高的选择性和灵敏性，并可循环使用多次，本发明荧光传感器制备简单、快捷，可

专利类型：发明专利

专利号：CN201110460517.5

专利申请（专利权）人：浙江工业大学

专利发明（设计）人：高云玲;沈绍传;姚克俭

主权项：一种荧光离子印迹传感器，其特征在于所述荧光离子印迹传感器由如下方法制备得到：(1)将甲基汞化合物和荧光化合物溶于反应溶剂中，再加入功能单体、交联剂和引发剂，混合均匀，得到反应溶液；所述甲基汞化合物为氯化甲基汞、溴化甲基汞或碘化甲基汞；所述荧光化合物为8?巯(羟基)基喹啉、1?烯丙基?3?(1?萘基)?2?硫脲、N?乙烯基咔唑或2?萘基丙烯酸酯；所述功能单体为下列之一：甲基丙烯酸、丙烯酸、2?乙烯基吡啶、4?乙烯基吡啶或丙烯酰胺；所述交联剂为下列之一或两者的混合物：乙二醇二甲基丙烯酸酯或三甲氧基丙烷三甲基丙

专利地区：浙江