移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件专利登记公告

专利名称：移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件

摘要：本发明提供移位寄存器单元、移位寄存器电路、阵列基板及显示器件，涉及显示器制造领域，能够在不影响电路稳定性的情况下减少去噪声晶体管的偏置电压作用时间，进而延长器件使用寿命。一种移位寄存器包括：一电容，一第一晶体管，一第二晶体管，一第三晶体管，一第四晶体管，一第五晶体管，一第六晶体管，一去噪控制模块。本发明用于显示器的制造。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110460676.5

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：商广良

主权项：一种移位寄存器单元，其特征在于，包括：一电容，具有两极，其中第一极与输出端连接；第一晶体管，该第一晶体管的栅极与源极分别连接信号输入端，该第一晶体管的漏极连接所述电容的第二极；第二晶体管，该第二晶体管的栅极连接复位端，该第二晶体管的源极连接所述第一晶体管的漏极，该第二晶体管的漏极连接低电平端；第三晶体管，该第三晶体管的栅极连接所述第一晶体管的漏极，该第三晶体管的源极连接第一时钟信号输入端，该第三晶体管的漏极连接所述输出端；第四晶体管，该第四晶体管的栅极连接所述复位端，该第四晶体管的源极连接所述输出端，该第

专利地区：北京