一种波导光探测器及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种波导光探测器及其制备方法

摘要：本发明公开了一种波导光探测器及其制备方法。在一个实施例中，一种波导光探测器的制备方法包括：首先在SOI(绝缘体上硅)衬底上形成波导，在波导和SOI衬底上沉积第一层氧化层；其次，生成一个籽晶窗口，使其穿过第一层氧化层通到SOI衬底的体硅层；然后在籽晶窗口中和覆盖波导的第一层氧化层上方沉积一层光探测器材料，并在光探测器材料和覆盖了波导与SOI衬底的第一层氧化层上方沉积第二层氧化层；最后，加热整块材料来融化光探测器材料。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110461695.X

专利申请（专利权）人：李冰

专利发明（设计）人：李冰

主权项：一种波导光探测器的制备方法，依次包括以下步骤：在SOI衬底上形成波导；在所述波导和SOI衬底上沉积第一层氧化层；生成一个穿过所述第一层氧化层并通到所述SOI衬底的体硅层的籽晶窗口；在所述籽晶窗口内和覆盖波导的第一层氧化层上方沉积光探测器材料；在光探测器材料和覆盖波导和SOI衬底的第一层氧化层上方沉积第二层氧化层；加热整块材料使光探测器材料融化；冷却光探测器材料使其开始结晶化；在所述波导上方沉积多晶硅层。

专利地区：上海