半导体封装体的接合结构、其制造方法及半导体封装体专利登记公告
专利名称：半导体封装体的接合结构、其制造方法及半导体封装体
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体封装体的接合结构、其制造方法及半导体封装体。该半导体封装体的接合结构包括：配置为传输电信号的第一导电构件；以及配置为电连接至第一导电构件的表面并包括多个子接合垫的接合垫。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110463174.8
专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司
专利发明（设计）人：金圣哲
主权项：一种半导体封装体的接合结构，包括：配置为传输电信号的第一导电构件；以及配置为电连接至该第一导电构件的表面并包括多个子接合垫的接合垫。
专利地区：韩国
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