具有基本上非晶态纳米复合连续相的漫反射偏振器的制造方法专利登记公告
专利名称:具有基本上非晶态纳米复合连续相的漫反射偏振器的制造方法
摘要:本发明提供了一种制造漫反射偏振器的方法,包括以下步骤:通过混沌混合器和薄片模头共挤出第一和第二聚合物以产生具有所需混合形态的铸塑板,并拉伸所述铸塑板以产生包括第一聚合物和第二聚合物的复合膜,所述第一聚合物的双折射小于0.02并且为基本上非晶态地纳米复合材料,第一聚合物为主相,所述第二聚合物为分散次要相,其中所述第一和第二聚合物总体沿着第一轴对电磁辐射的一种偏振态表现出漫反射率R1d,镜面反射率R1s,总反射率R1t,漫透射率T1d,镜面透射率T1s,和总透射率T1t,沿着对于电磁辐射的另外一种偏振态的第二
专利类型:发明专利
专利号:CN201110463237.X
专利申请(专利权)人:SKC哈斯显示器薄膜有限公司;陶氏环球技术有限公司
专利发明(设计)人:J·格林纳;J·多利;X-D·米;W·周
主权项:一种制造漫反射偏振器的方法,该方法包括以下步骤:通过混沌混合器和薄片模头共挤出第一和第二聚合物以产生具有所需混合形态的铸塑板,并拉伸所述铸塑板以产生包含第一聚合物和第二聚合物的复合膜,所述第一聚合物的双折射小于0.02,并且该第一聚合物为基本上非晶态的纳米复合材料,所述第一聚合物为主相,所述第二聚合物为分散次要相,其中所述第一和第二聚合物总体沿着第一轴对电磁辐射的一种偏振态的表现出漫反射率R1d,镜面反射率R1s,总反射率R1t,漫透射率T1d,镜面透射率T1s,和总透射率T1t,沿着第二轴对电磁辐射的另
专利地区:韩国
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。