制造半导体器件封装件的方法专利登记公告

专利名称：制造半导体器件封装件的方法

摘要：提供制造半导体器件封装件的方法。该方法包括：提供叠层，其包括设置在第一金属层上的介电膜，所述叠层具有介电膜外表面和第一金属层外表面；根据预定图案形成多个延伸通过该叠层的通孔；将一个或多个半导体器件附连到该介电膜外表面使得半导体器件在附连后接触一个或多个通孔；在该第一金属层外表面和多个通孔的内表面上设置导电层来形成互连层，其包括该第一金属层和所述导电层；以及根据预定电路配置图案化该互连层来形成图案化的互连层，其中该图案化的互连层的一部分延伸通过一个或多个通孔来形成与半导体器件的电接触。还提供半导体器件封装件

专利类型：发明专利

专利号：CN201110463335.3

专利申请（专利权）人：通用电气公司

专利发明（设计）人：P·A·麦康内李;A·V·高达

主权项：一种制造半导体器件封装件的方法，其包括：提供叠层，其包括设置在第一金属层上的介电膜，所述叠层具有介电膜外表面和第一金属层外表面；根据预定图案形成多个延伸通过所述叠层的通孔；将一个或多个半导体器件附连到所述介电膜外表面使得所述半导体器件在附连后接触一个或多个通孔；在所述第一金属层外表面和所述多个通孔的内表面上设置导电层来形成互连层，其包括所述第一金属层和所述导电层；以及根据预定电路配置图案化所述互连层来形成图案化的互连层，其中所述图案化的互连层的一部分延伸通过一个或多个通孔来形成与所述半导体器件的电接触。

专利地区：美国