电容扫描邻近侦测专利登记公告

专利名称：电容扫描邻近侦测

摘要：本发明揭示一种方法和设备，其用于使用第一感测模式扫描电容性感测阵列的第一组电极以识别邻近于所述电容性感测阵列的对象的存在，其中使用所述第一感测模式进行扫描识别不与所述电容性感测阵列物理接触的对象。使用第二感测模式扫描所述第一组电极以确定所述对象相对于所述电容性感测阵列的位置，其中使用所述第二感测模式进行重新扫描确定与所述电容性感测阵列物理接触的对象的位置。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004063.9

专利申请（专利权）人：赛普拉斯半导体公司

专利发明（设计）人：维克特·奎曼;欧勒山德·卡尔宾;安德理·马哈瑞塔;安德理·里须顿;弗罗迪米尔·胡特恩克

主权项：一种方法，其特征在于，包含：由处理装置使用第一感测模式扫描电容性感测阵列的第一组电极以识别邻近于所述电容性感测阵列的对象的存在，其中使用所述第一感测模式进行扫描识别不与所述电容性感测阵列物理接触的对象；以及使用第二感测模式扫描所述第一组电极以确定所述对象相对于所述电容性感测阵列的位置，其中使用所述第二感测模式进行重新扫描确定与所述电容性感测阵列物理接触的对象的位置。

专利地区：美国