电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法专利登记公告
专利名称：电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法
摘要：本发明提供达成高维(高次元)强度和导电率、同时耐疲劳性也优异的Cu-Co-Si系铜合金。电子材料用铜合金，其中含有Co：0.5～3.0％(质量)、Si：0.1～1.0％(质量)，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，在母相中析出的第二相颗粒中，粒径为5nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度为1×1012～1×1014个/mm3，粒径为5nm以上、不足10nm的第二相颗粒的个数密度以相对于粒径为10nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度之比来表示为3～6。
专利类型：发明专利
专利号：CN201180004186.2
专利申请（专利权）人：JX日矿日石金属株式会社
专利发明（设计）人：桑垣宽
主权项：电子材料用铜合金，其中含有Co：0.5～3.0％(质量)、Si：0.1～1.0％(质量)，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，在母相中析出的第二相颗粒中，粒径为5nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度为1×1012～1×1014个/mm3，粒径为5nm以上、不足10nm的第二相颗粒的个数密度以相对于粒径为10nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度之比来表示为3～6。
专利地区：日本
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。