清洁碳化硅半导体的方法和用于清洁碳化硅半导体的装置专利登记公告

专利名称：清洁碳化硅半导体的方法和用于清洁碳化硅半导体的装置

摘要：本发明提供一种清洁SiC半导体的方法，所述方法包括在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)的步骤(步骤S2)和除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，使用卤素等离子体或氢等离子体除去所述氧化膜(3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，优选使用氟等离子体作为卤素等离子体。能够对所述SiC半导体(1)进行清洁，使得实现良好的表面特性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004208.5

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：宫崎富仁;和田圭司;日吉透

主权项：一种清洁碳化硅半导体的方法，所述方法包括如下步骤：在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)；和除去所述氧化膜(3)，在所述除去所述氧化膜(3)的步骤中，使用卤素等离子体或氢等离子体。

专利地区：日本