挠性半导体装置及其制造方法、以及图像显示装置专利登记公告

专利名称：挠性半导体装置及其制造方法、以及图像显示装置

摘要：本发明提供一种挠性半导体装置及其制造方法、以及图像显示装置。本发明的制造方法包括：准备具有凹部的金属箔的工序(a)、在金属箔的凹部的底面形成栅极绝缘膜的工序(b)、将凹部用作围堰部件来隔着栅极绝缘膜在凹部的底面上形成半导体层的工序(c)、以及以与半导体层相连的方式形成源电极和漏电极的工序(d)。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004344.4

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：铃木武;中谷诚一;平野浩一

主权项：一种挠性半导体装置，其中，具有由以金属箔构成的栅电极、和形成在该栅电极上的栅极绝缘膜构成的栅极结构体，在所述栅极结构体的表面形成有成为围堰部件的凹部，在所述凹部的底面形成有半导体层，所述半导体层与源电极和漏电极连接。

专利地区：日本