氮化物类半导体元件及其制造方法专利登记公告

专利名称：氮化物类半导体元件及其制造方法

摘要：本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法，其包括具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的氮化物类的半导体叠层构造(20)；和在p型半导体区域上设置的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包括Mg层(32)、和在Mg层(32)上形成的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004465.9

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：横川俊哉;大屋满明;山田笃志;矶崎瑛宏

主权项：一种氮化物类半导体元件，其具备：具有p型GaN类半导体区域的氮化物类半导体叠层构造；和在所述p型GaN类半导体区域上设置的电极，所述p型GaN类半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度在1°以上5°以下，所述电极包括与所述p型GaN类半导体区域的所述主面相接触的Mg层、和在所述Mg层上形成的Ag层。

专利地区：日本