光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统专利登记公告

专利名称：光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统

摘要：本发明提供一种光半导体及其制造方法、以及光半导体设备、光触媒、氢生成设备和能量系统。本发明的光半导体的制造方法包括：混合工序，制作包含铌化合物和还原防止剂的混合物，该铌化合物至少在组成中含有氧；氮化工序，使所述混合物与氮化合物气体进行反应，从而使所述混合物氮化；和洗净工序，从通过所述氮化工序得到的试样中，利用洗净液溶解铌氮氧化物以外的化学种，分离出铌氮氧化物。本发明的光半导体实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004738.X

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：铃木孝浩;野村幸生;田村聪;羽藤一仁;谷口升;德弘宪一;宫田伸弘

主权项：一种光半导体，其实质上由铌氮氧化物构成，该铌氮氧化物具有斜锆石型结晶构造、且具有由组成式NbON表示的组成。

专利地区：日本