高介电性膜专利登记公告

专利名称：高介电性膜

摘要：本发明提供高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中，成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10质量份；并且无机物颗粒(B)为选自由下述(B1)、(B2)和(B3)组成的组中的至少一种，(B1)为周期表2族、3族、4族、12族或13族中的1种金属元素的无机氧化物颗粒、或它们的无机氧化物复合颗粒；(B2)为式(1)M1a1Nb1Oc1(式中，M1为2族金属元素；N为4族金属元素；a1为0.9～1.1；

专利类型：发明专利

专利号：CN201180004932.8

专利申请（专利权）人：大金工业株式会社

专利发明（设计）人：立道麻有;高野奈菜子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;向井惠吏;高明天

主权项：一种高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中：成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10质量份；并且无机物颗粒(B)为选自由下述(B1)、(B2)和(B3)组成的组中的至少一种：(B1)周期表2族、3族、4族、12族或13族中的1种金属元素的无机氧化物颗粒、或它们的无机氧化物复合颗粒；(B2)式(1)所示的无机复合氧化物颗粒：M1a1Nb1Oc1所述式中，M1为2族金属元素；N为4族金属元素；a1

专利地区：日本