用于监视半导体晶片的薄化的原位测量晶片厚度的监视设备和方法、以及包括湿蚀刻设备和监视设备的薄化设备专利登记公告

专利名称：用于监视半导体晶片的薄化的原位测量晶片厚度的监视设备和方法、以及包括湿蚀刻设备和监视设备的薄化设备

摘要：根据本发明，发明了一种监视装置（12）来监视在湿蚀刻单元（5）中薄化至少一个半导体晶片（4），其中，监视装置（12）包括光源（14），光源（14）被设计为发射一定光波段的相干光，半导体晶片（4）对所述一定光波段的相干光是光学透明的。监视装置（12）还包括测量头（13），测量头（13）相对于将被蚀刻的半导体晶片（4）的表面被非接触式地布置，其中，测量头（13）被设计为以所述一定光波段的相干光照射半导体晶片（4），并被设计为接收被半导体晶片（4）反射的光束（16）。此外，监视装置（12）包括光谱仪（17）和分

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005028.9

专利申请（专利权）人：普雷茨特激光技术有限公司;杜斯蒙德私人控股有限公司

专利发明（设计）人：克劳斯·杜斯蒙德;马丁·斯科恩勒伯;伯特霍尔德·米歇尔特;克里斯多夫·迪茨

主权项：一种用于监视在湿蚀刻设备（5）中薄化至少一个半导体晶片（4）的监视设备，所述监视设备（12）包括：光源（14），光源（14）被构造为发射一定光波段的相干光，半导体晶片（4）对所述一定光波段的相干光是光学透明的；测量头（13），测量头（13）相对于将被蚀刻的半导体晶片（4）的表面被非接触式地定位，测量头（13）被构造为以所述一定光波段的相干光照射半导体晶片（4），并被构造为接收被半导体晶片（4）反射的光束（16）；光谱仪（17）；分束器，所述一定光波段的相干光经分束器被引导至测量头（13），反射的光束被引导

专利地区：德国