一种无膦的制备油溶性半导体纳米晶的方法专利登记公告

专利名称：一种无膦的制备油溶性半导体纳米晶的方法

摘要：本发明属于半导体纳米晶制备技术领域，具体涉及一种利用烷基硫醇在脂肪族胺中还原溶解硒粉的方法制备硒前驱体，并利用此前驱体制备高质量的油溶性半导体纳米晶的方法。是利用烷基硫醇在脂肪族胺中还原溶解硒粉制备硒前驱体，并利用此硒前驱体制备高质量的油溶性半导体纳米晶的方法。在制备过程中所用原料为金属源(镉源、铜源、锌源、锡源、铟源、镓源)、硒粉、脂肪族胺、烷基硫醇和十八烯。本发明利用烷基硫醇还原硒粉制备硒前驱体，由于烷基硫醇价格便宜，绿色环保，在空气中可以稳定存在，且其还原硒粉的反应可以在空气中完成，因此这种方法有效

专利类型：发明专利

专利号：CN201210000358.5

专利申请（专利权）人：吉林大学

专利发明（设计）人：张皓;刘轶;姚栋;杨柏

主权项：一种无膦的制备油溶性半导体纳米晶的方法，其步骤如下：a)将硒粉加入到脂肪族胺和烷基硫醇的混合溶液中，室温下搅拌使硒粉溶解，得到溶液作为硒前驱体；b)将金属源和烷基硫醇加入到脂肪族胺或十八烯的溶液中，抽真空、通氮气3～5次，每次10～20分钟；再在真空条件下加热到60～120℃将金属源溶解，得到乳白色溶液；然后在N2气保护下升温到180～300℃，将前面步骤制备的硒前驱体加入，硒粉和金属源的摩尔比为1∶5～5∶1，继续反应10～30分钟，即可制备得到油溶性半导体纳米晶。

专利地区：吉林