波导调配器中抑制电磁场泄露的方法专利登记公告

专利名称：波导调配器中抑制电磁场泄露的方法

摘要：本发明涉及微波调配器技术领域，特别是波导调配方面领域，具体说是波导调配器中抑制电磁场泄露的方法，在波导宽边中间开缝隙，缝隙和波导表面电流平行，滑块沿着缝隙垂直插入波导，其特征是：缝隙两侧开有扼流槽，扼流槽深度和高度与抑制泄露的频率波长关系是：；式中，是扼流槽深度；是扼流槽高度；为需要抑制泄露的电磁场频率对应的波长。它以便克服电磁场通过缝隙向外界空间的泄露，造成插入损耗增大。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210000901.1

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：王家礼;詹劲松;陈晓龙

主权项：波导调配器中抑制电磁场泄露的方法，在波导宽边中间开缝隙，缝隙和波导表面电流平行，滑块沿着缝隙垂直插入波导，其特征是：缝隙两侧开有扼流槽，扼流槽深度和高度与抑制泄露的频率波长关系是：???????????????????????????????????????????????；式中，是扼流槽深度；是扼流槽高度；为需要抑制泄露的电磁场频率对应的波长。2012100009011100001dest_path_image002.jpg,2012100009011100001dest_path_image004.j

专利地区：陕西