一种相变存储器单元高速擦写测试系统专利登记公告

专利名称：一种相变存储器单元高速擦写测试系统

摘要：本发明公开了一种相变存储器单元高速擦写测试系统，该系统包括皮秒脉冲发生器、半导体特性测试仪、数字实时取样示波器、有源探头和测试电路板；也可以采用射频探针台代替测试电路板。皮秒脉冲发生器可以产生脉冲宽度极窄的电压脉冲，整个系统带宽高，测试程序可以控制皮秒脉冲发生器产生脉冲宽度在0.2ns-10ns间的准连续脉冲序列，因此系统可以通过改变擦写脉冲宽度扫描测量相变存储器单元阵列的高速擦写脉冲宽度范围。总之，本发明测试系统可以对相变存储器单元阵列进行高速擦写测试，它具有带宽高、损耗低的优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210001014.6

专利申请（专利权）人：华中科技大学

专利发明（设计）人：缪向水;李震;黄冬其

主权项：一种相变存储器单元擦写测试系统，其特征在于，该系统包括皮秒脉冲发生器(2)、半导体特性测试仪(3)、数字实时取样示波器(8)、有源探头(9)和测试电路板(10)；半导体特性测试仪(3)包含内置的计算机(4)、脉冲发生器(5)和源测量单元(6)，以及外置的偏置器(7)，计算机(4)对脉冲发生器(5)和源测量单元(6)进行控制，脉冲发生器(5)和源测量单元(6)分别通过同轴电缆与偏置器(7)连接；测试电路板(10)包含选址开关阵列(11)、编码电路(12)、译码电路(13)、驱动电路(14)、单稳态触发延时电

专利地区：湖北