低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件专利登记公告

专利名称：低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件

摘要：本发明涉及低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件。所述有机半导体化合物包含由化学式1表示的结构单元。[化学式1]

专利类型：发明专利

专利号：CN201210001157.7

专利申请（专利权）人：三星电子株式会社

专利发明（设计）人：李芳璘;朴正一;郑钟元

主权项：有机半导体化合物，包含：至少一个根据化学式1的结构单元，[化学式1]其中，在化学式1中，R1和R2各自独立地为如下之一：选自氢、卤素、取代和未取代的C1?C20线型或支化烷基之一、取代和未取代的C3?C20环烷基之一、取代和未取代的线型或支化C1?C20烷氧基之一、取代和未取代的C3?C20环烷氧基之一、取代和未取代的C6?C30芳基之一、取代和未取代的C6?C30芳氧基之一、取代和未取代的C2?C30杂芳基之一、及其组合，和选自其中如果R1不为氢的话一个CH2基团和多个不相邻的CH2基团中的一种任选地被

专利地区：韩国