一种原子层沉积装置专利登记公告

专利名称：一种原子层沉积装置

摘要：一种原子层沉积装置属于等离子体应用技术领域，涉及一种阵列式空心阴极结构的等离子体发生装置。该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1-3mm的通孔，相邻的孔的间距为2-4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5-20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。该装置降低等离子体温度，改善其他一些等离子体参数，从而提高沉积

专利类型：发明专利

专利号：CN201210001350.0

专利申请（专利权）人：北京印刷学院

专利发明（设计）人：陈强;杨丽珍;王正铎;桑利军;刘忠伟;张受业

主权项：一种原子层沉积装置，其特征在于：该装置包括配气系统(1)、真空腔室(2)、阵列式空心阴极上电极(3)、平板式接地下电极(4)、抽真空系统(5)、电源系统(6)，所述阵列式空心阴极上电极(3)带有多个均匀分布的直径范围为1?3mm的通孔，相邻的孔的间距为2?4mm，阵列式空心阴极上电极(3)与平板式接地下电极(4)之间的间距为5?20mm，阵列式空心电极(3)连接配气系统(1)的供气管道。所述式空心阴极阵列电极(3)的接线柱连接到所述电源系统(6)的高压电极一端，并与所述装置的真空腔室、平板式接地下电极保持

专利地区：北京