一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备工艺专利登记公告

专利名称：一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备工艺

摘要：本发明属于电池技术领域。具体公开一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括硅片衬底，硅片衬底包括有吸收太阳光的前表面，前表面有硅片前表面有扩散得到的n+层、氮化硅减反膜及银前电极，所述银前电极底部设有若干通孔，硅片衬底背面先形成二氧化硅和氮化硅复合钝化膜，复合钝化膜背面印有网状图案的中间铝层，中间铝层通过通孔与银前电极的底部形成合金实现电荷导通，中间铝层背面镀有一层与背面电极形成电荷隔离的氧化铝介质层，网状图案中间铝层的无浆料区域被激光局域开孔并形成局域硼背场，背电极与硅片衬底以点接

专利类型：发明专利

专利号：CN201210002691.X

专利申请（专利权）人：中山大学

专利发明（设计）人：沈辉;刘家敬;陈达明;梁宗存

主权项：一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池，其特征在于：包括硅片衬底，所述硅片衬底包括有吸收太阳光的前表面，硅片衬底的前表面有扩散得到的n+层、氮化硅减反膜及银前电极，所述银前电极底部设有若干通孔，所述硅片衬底背面先形成二氧化硅和氮化硅复合钝化膜，所述复合钝化膜背面印有网状图案的中间铝层，所述中间铝层通过通孔与银前电极的底部形成合金实现电荷导通，中间铝层背面设有一层与背面电极形成电荷隔离的氧化铝介质层，所述网状图案的中间铝层的无浆料区域被激光局域开孔并形成局域硼背场背电极，该背电极与硅片衬底以点接触方式形成欧姆

专利地区：广东