含铒、钕元素的磷锗酸盐玻璃芯片的制备方法专利登记公告

专利名称：含铒、钕元素的磷锗酸盐玻璃芯片的制备方法

摘要：一种含铒、钕元素的磷锗酸盐玻璃芯片的制备方法，该方法包括如下步骤：a、将摩尔百分比含量的五氧化二磷40～70，二氧化锗0～7.5，氧化锌4～20，氯化锌0～50，氧化铒0.5～1，氧化钕2～5混合均匀；b、将混合物料放入加盖的石英钳锅或铂金钳锅中，并置于电炉中，在1300～1450℃的温度熔化，形成玻璃熔液；c、将完全熔化所形成的玻璃熔液均化澄清后出炉，然后迅速浇注在预热过的模具上成型；d、将成型的玻璃放入已升温至玻璃转变温度的马弗炉中退火；e、待完全冷却后取出玻璃样品。本发明具有制备工艺简单、成本低，制

专利类型：发明专利

专利号：CN201210003058.2

专利申请（专利权）人：深圳市卓先实业有限公司

专利发明（设计）人：卢子忱

主权项：一种用于近红外激光输出的含铒、钕元素的磷锗酸盐玻璃芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：?a、将摩尔百分比含量的五氧化二磷40～70，二氧化锗0～7.5，氧化锌4～20，氯化锌0～50，氧化铒0.5～1，氧化钕2～5混合均匀；b、将混合物料放入加盖的石英钳锅或铂金钳锅中，并置于电炉中，在1300～1450℃的温度熔化，形成玻璃熔液；c、将完全熔化所形成的玻璃熔液均化澄清后出炉，然后迅速浇注在预热过的模具上成型；d、将成型的玻璃放入已升温至玻璃转变温度的马弗炉中退火；e、待完全冷却后取出玻璃样品。

专利地区：广东