多晶硅材料残余应力在线测试结构专利登记公告

专利名称：多晶硅材料残余应力在线测试结构

摘要：本发明公开了一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，该测试结构包括三个基本结构相同的多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针以“品”字型放置，所有指针都指向中心，通过指针在残余应力作用下初始偏转方向的控制使得间距保持和间距变化能够有效地反应残余应力的大小和性质；该测试结构的制作工艺简单，没有特殊加工要求；测试时，采用热驱动，测量参数为热驱动前后驱动梁的电阻。本发明在使用过程中，虽然采用热膨胀原理，但测量计算并不需要热膨胀系数，避免了在线测试热膨胀系数时的误差对测量结果的影响。本发明具有测试结构简单、电信号加载和测量

专利类型：发明专利

专利号：CN201210003497.3

专利申请（专利权）人：东南大学

专利发明（设计）人：李伟华;张卫青;蒋明霞;周再发;刘海韵

主权项：一种多晶硅材料残余应力在线测试结构，其特征在于：包括三个多晶硅偏转指针，三个多晶硅偏转指针分别包括多晶硅驱动梁(101、103、105)、多晶硅指针(102、104、106)和锚区；三个多晶硅偏转指针呈“品”字型放置，指针(102、104、106)都指向中心；左下部多晶硅偏转指针和右下部多晶硅偏转指针结构完全相同，以测试结构竖直中心线左右镜向，上部多晶硅偏转指针位于中心，其指针(102)方向与下部的左右多晶硅偏转指针的指针(104、106)方向相反；整个测试结构制作在绝缘衬底(117)上，在结构被释放后，

专利地区：江苏