一种硅光电池专利登记公告

专利名称：一种硅光电池

摘要：本发明公开了一种硅光电池，包括：背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区，所述背面P+欧姆接触区、P-基区和N+发射区组成pin结构，其特征在于，还包括介质埋层，所述介质埋层位于P-基区内部，耗尽区外部，并且介质埋层不隔断P-基区。本发明提出的硅光电池通过在光电池基区引入埋层介质形成内部反射机制，引入的介质埋层具有一定的反射入射光的能力，使得光电池收集几率高的位置能接收更多的光照，吸收更多的光子，因而可以在不增加电池厚度的条件下获得高的光生电流，转换效率得到有效的提升。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210003894.0

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：张有润;吴浩然;张波

主权项：一种硅光电池，包括：背面P+欧姆接触区、P?基区和N+发射区，所述背面P+欧姆接触区、P?基区和N+发射区组成pin结构，其特征在于，还包括介质埋层，所述介质埋层位于P?基区内部，耗尽区外部，并且介质埋层不隔断P?基区。

专利地区：四川