集成电路设计过程中的寄存器设计方法及装置专利登记公告

专利名称：集成电路设计过程中的寄存器设计方法及装置

摘要：本发明公开了一种集成电路设计过程中的寄存器设计方法，包括：通过可扩展标记语言XML编辑器生成包括寄存器配置信息的XML文件；根据所述寄存器配置信息中包括的寄存器接口类型，获取寄存器传输级设计RTL模板库中的RTL模板；根据获取的RTL模板和所述寄存器配置信息，生成包括寄存器接口信息和参数声明的RTL文件头；以及遍历所述XML文件中包括的各寄存器配置信息生成各寄存器的RTL信息；得到包含RTL文件头和RTL信息的RTL设计文件；减少了IC设计缺陷，提高了设计成功率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210003913.X

专利申请（专利权）人：广东新岸线计算机系统芯片有限公司

专利发明（设计）人：鲍东山

主权项：一种集成电路设计过程中的寄存器设计方法，其特征在于，包括：通过可扩展标记语言XML编辑器生成包括寄存器配置信息的XML文件；根据所述寄存器配置信息中包括的寄存器接口类型，获取寄存器传输级设计RTL模板库中的RTL模板；根据获取的RTL模板和所述寄存器配置信息，生成包括寄存器接口信息和参数声明的RTL文件头；以及遍历所述XML文件中包括的各寄存器配置信息生成各寄存器的RTL信息；得到包括RTL文件头和RTL信息的RTL设计文件。

专利地区：北京