负温度系数热敏电阻芯片、其电阻及其制作方法专利登记公告

专利名称：负温度系数热敏电阻芯片、其电阻及其制作方法

摘要：本发明公开了负温度系数热敏电阻芯片及其电阻及其制作方法。一种负温度系数热敏电阻芯片，由过渡金属氧化物粉末烧结而成，所述过渡金属氧化物粉末由按摩尔百分比计的以下组分组成：5-15%氧化铝Al2O3、0-5%氧化钇Y2O3、50-90%氧化锰MnO2、5-35%氧化镍Ni2O3或氧化钴Co3O4，其中氧化钇Y2O3的含量不为零。本发明的有益效果是：本发明的负温度系数电阻25℃下的电阻值一致性好，B值较高，在高温下放置后一段时间后，其在25℃下的阻值漂移均小于1%，具有很高的稳定性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210004547.X

专利申请（专利权）人：深圳顺络电子股份有限公司

专利发明（设计）人：潘士宾;包汉青;刘传东;严友兰;程健;康建宏

主权项：一种负温度系数热敏电阻芯片，其特征是，由过渡金属氧化物粉末烧结而成，所述过渡金属氧化物粉末由按摩尔百分比计的以下组分组成：5?15%氧化铝Al2O3、0?5%氧化钇Y2O3、50?90%氧化锰MnO2、5?35%氧化镍Ni2O3或氧化钴Co3O4，其中氧化钇Y2O3的含量不为零。

专利地区：广东