缓蚀剂、其制备方法及化学机械抛光组合物专利登记公告

专利名称：缓蚀剂、其制备方法及化学机械抛光组合物

摘要：本发明提供了一种新的、含有唑基和酮基的缓蚀剂，其结构为(I)所示。进一步地，本发明还提供了上述缓蚀剂的制备方法和含有该缓蚀剂的酸性化学机械抛光组合物。本发明公开的缓蚀剂，适合在超大规模集成电路多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物中使用，可迅速在铜表面成膜，保护铜表面，抑制腐蚀，显著减少化学腐蚀坑等缺陷，改善抛光液的性能。图中R1为三唑基或者四唑基。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210004900.4

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：路新春;董莹;戴媛静;雒建斌

主权项：一种缓蚀剂，其结构式如下：R2＝H、?OH、?(CH2)nCH3，其中n为0?4的整数。FDA0000129660960000011.tif

专利地区：北京