微孔钴配位聚合物和制备方法及其应用专利登记公告

专利名称：微孔钴配位聚合物和制备方法及其应用

摘要：本发明公开了一种微孔钴配位聚合物和制备方法及其应用。所述的钴配位聚合物是下述化学式的化合物：[Co(tipb)(adc)](DMF)3(H2O)1.50，其中tipb为1，3，5-三(p-咪唑苯基)苯，adc为对9，10-蒽二酸，DMF为N，N-二甲基甲酰胺。化合物采用溶剂热法制备，所得的晶体纯度较高。本发明所述的微孔钴配位聚合物在脱去游离的溶剂分子后，在晶体c轴方向上展示出一维纳米尺寸孔道。此配合物能够较大量的吸附二氧化碳而对氮气氧气甲烷的吸附较少，表现出良好的气体分离的效果，可作为气体吸附分离剂，在材

专利类型：发明专利

专利号：CN201210006670.5

专利申请（专利权）人：南开大学

专利发明（设计）人：卜显和;陈强;常泽;张大帅;宋伟朝;胡同亮

主权项：一种微孔钴配位聚合物，其特征在于它是下述化学式的化合物：[Co(tipb)(adc)](DMF)3(H2O)1.50，其中tipb为1，3，5?三(p?咪唑苯基)苯，adc为对9，10?蒽二酸，DMF为N，N?二甲基甲酰胺；主要红外吸收峰为3134cm?1，1664cm?1，1598cm?1，1521cm?1，1400cm?1，1309cm?1，1061cm?1，963cm?1，833cm?1，656cm?1。

专利地区：天津