一种低介电常数压敏电阻材料及其制备方法专利登记公告
专利名称:一种低介电常数压敏电阻材料及其制备方法
摘要:本发明公开了一种低介电常数压敏电阻材料,包括:90~97%的ZnO;0.1~3%的Bi2O3;0.1~3%的Sb2O3;0.1~2%的Cr2O3;0.1~1.5%的MnO2;0.1~1.5%的Co2O3;0.1~1%的Ni2O3;0.1~0.8%的H3BO3;0.1~0.8%的AgNO3;0.1-0.3%的Al2(NO3)3.9H2O;前述的百分比均为摩尔比。与现有技术相比,利用本发明的电阻材料制作的压敏电阻的介电常数能够控制在30-120之内。
专利类型:发明专利
专利号:CN201210007305.6
专利申请(专利权)人:深圳顺络电子股份有限公司
专利发明(设计)人:王小波;冯志刚;贾广平
主权项:一种低介电常数压敏电阻材料,其特征在于包括:90~97%的ZnO;0.1~3%的Bi2O3;0.1~3%的Sb2O3;0.1~2%的Cr2O3;0.1~1.5%的MnO2或MnCO3;0.1~1.5%的Co2O3;0.1~1%的Ni2O3或NiO;0.1~0.8%的H3BO3或B2O3;?0.001~0.8%的AgNO3;0.001?0.3%的Al2(NO3)3.9H2O;前述的百分比均为摩尔比。
专利地区:广东
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