SRAM型FPGA的低功耗设计方法专利登记公告

专利名称：SRAM型FPGA的低功耗设计方法

摘要：本发明提供一种SRAM型FPGA的低功耗设计方法，包括：步骤一、根据FPGA结构及电路信息，建立漏电功耗信息图；步骤二、在布线阶段对各MUX所对应的漏电功耗进行评估，得到漏电功耗；步骤三、将所述漏电功耗引入布线代价函数，从而在布线过程中降低电路漏电功耗。上述方法在布线阶段对电路进行低功耗设计，在布线过程中综合考虑电路时延开销、拥塞开销和漏电功耗开销，几乎不会对电路时序性能产生影响。通过修改电路连线实现方式进行低功耗设计，与FPGA芯片结构无关，不会对FPGA芯片的工艺制造产生影响，对当前主流FPGA均适用

专利类型：发明专利

专利号：CN201210007365.8

专利申请（专利权）人：中国科学院计算技术研究所

专利发明（设计）人：黄柯衡;胡瑜;李晓维

主权项：一种SRAM型FPGA的低功耗设计方法，包括：步骤一、根据FPGA结构及电路信息，建立漏电功耗信息图；步骤二、在布线阶段对各MUX所对应的漏电功耗进行评估，得到漏电功耗；步骤三、将所述漏电功耗引入布线代价函数，从而在布线过程中降低电路漏电功耗。

专利地区：北京