基于Ni膜退火和Cl₂反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法专利登记公告

专利名称：基于Ni膜退火和Cl₂反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法

摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其实现过程是：先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中，向石英管中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700-1100℃下SiC与Cl2反应3-8min，生成碳膜；然后在Si基体上电子束沉积300-500nm厚的Ni膜；再将生成的碳膜样片的碳面置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1100℃下退火10-30min生成石墨烯；最后

专利类型：发明专利

专利号：CN201210007709.5

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;张克基;张玉明;邓鹏飞;雷天民

主权项：一种基于Ni膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至700?1100℃；(3)向石英管中通入Ar气和Cl2气的混合气体，持续时间3?8min，使Cl2与3C?SiC反应生成碳膜；(4)在Si基体上电子束沉积300?500nm厚的Ni膜；(5)将生成的碳膜样片的碳面置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中在温度为900?1100℃下退火10?30min，使碳膜重构成石墨烯，再将Ni膜

专利地区：陕西