一种高比表面积MgSiO₃/SiO₂复合物的制备方法专利登记公告

专利名称：一种高比表面积MgSiO₃/SiO₂复合物的制备方法

摘要：本发明涉及一种高比表面积MgSiO3/SiO2复合物的制备方法。本发明方法采用氯化镁、二氧化硅、氨水为原料，利用表面反应法制得硅酸镁与二氧化硅的复合物；其中采用的Mg/Si摩尔投料比为0.25~1.20；本发明制得的产物MgSiO3/SiO2复合物具有很高的比表面积，是可以作为镍基活性物种活离子的载体，作为烷烃水蒸气重整的催化剂。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210008011.5

专利申请（专利权）人：上海大学

专利发明（设计）人：丁伟中;邹秀晶;汪学广;赵景月;刘合之;鲁雄刚

主权项：一种高比表面积MgSiO3/SiO2复合物的制备方法，其特征在于是有以下的制备过程和步骤：将一定量的氯化镁溶于去离子水中，配制成含有Mg2+浓度为?0.625~3mol/L的氯化镁溶液；在不断搅拌下加入纯SiO2-粉末，其加入量按规定的Mg/Si摩尔投料比0.25~1.20进行计量,并充分搅拌混合均匀;得到胶状混合物在50℃下密封反应24?h；冷却后再加入稀氨水在80~120℃下浸泡24h；冷却后经过滤洗涤至无Cl?1，随后90?oC烘干，110?oC干燥后于500~700℃焙烧6h，即得高比表面积的Mg

专利地区：上海