一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法专利登记公告

专利名称：一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法

摘要：一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下，提高光学灾变阈值，降低激光器退化速率，延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导体激光器芯片解理成Ba条，此过程通入高纯氮气作为保护气体，使整个解理过程处在高纯氮气的氛围中，减少解理后新鲜腔面悬挂键。解理后，迅速把激光器芯片Bar条放入真空镀膜机，用氮离子进行腔面深度钝化，形成GaN钝化层，再用氢离子去除氮钝化生成无用杂质。在半导体激光器形成GaN钝化层后在前后腔面分

专利类型：发明专利

专利号：CN201210009274.8

专利申请（专利权）人：北京工业大学

专利发明（设计）人：崔碧峰;陈京湘;计伟;郭伟玲

主权项：一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，其特征在于，包含以下步骤：(1)半导体激光器放在带有离子源真空解理机中解理台上，从离子源通入氮气，通入流量20至40sccm，离子源能量60至100ev，在解理室里形成N+离子，在纯氮的环境下进行解理时，解理后半导体激光器新鲜腔面悬挂键在N+离子作用下减少，把解理出的半导体激光器Bar条装入镀膜专用夹具，然后迅速放入电子束蒸发真空镀膜机行星式转盘上；(2)氮离子深度钝化，把真空镀膜机用冷泵抽至高真空，开通氮气源，通入流量40至60sccm，用100ev到200

专利地区：北京