基于Cu膜退火和Cl₂反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法专利登记公告

专利名称：基于Cu膜退火和Cl₂反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法

摘要：本发明公开了一种基于Cu膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好、层数不均匀的问题。其制作过程是：(1)对SiC样片进行标准清洗；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，向石英管中通入Ar气和Cl2的混合气体，在700-1100℃下SiC与Cl2反应4-10min，生成碳膜；(3)将生成的碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1200℃下退火15-25min生成石墨烯；(4)将Cu膜从石墨烯样片上取开。本发明具有

专利类型：发明专利

专利号：CN201210009957.3

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：郭辉;邓鹏飞;张玉明;张克基;雷天民

主权项：一种基于Cu膜退火和Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至700?1100℃；(3)向石英管中通入Ar气和Cl2气的混合气体，持续时间4?10min，使Cl2与3C?SiC反应生成碳膜；(4)将生成的碳膜样片的碳面置于Cu膜上，再将它们一同置于Ar气中在温度为900?1200℃下退火15?25min，使碳膜重构成石墨烯，再将Cu膜从石墨烯样片上取开。

专利地区：陕西